FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 107µA @ 2V, 전류 드레인 (Id)-최대: 2mA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 100nA,
FET 유형: N-Channel,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 0.5nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 0.5nA,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 0.5nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 0.5nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 0.5nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 2V, 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 10nA,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 4nA,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 0.5nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 0.5nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 0.5nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 15V, 전류 드레인 (Id)-최대: 20mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 0.5nA,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 0.5nA,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.2V @ 0.5nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1µA,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 10nA,