FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10nA,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.8V @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 700mV @ 1nA,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 4nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.2V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 10µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 10nA,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 750mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 0.5nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 500pA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 500pA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 40mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1µA,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 12mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 10nA,
