FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80µA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.5mA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.5mA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 14.5mA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7.3mA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA,
FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 20mA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.8V @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 107µA @ 2V, 전류 드레인 (Id)-최대: 2mA,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 30mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10µA,
