FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50µA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.3V @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 3nA,
