트랜지스터-JFET

2SK880-BL(TE85L,F)

부품 재고: 403

FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 100nA,

2SK880GRTE85LF

부품 재고: 100454

FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 100nA,

2SK208-Y(TE85L,F)

부품 재고: 407

FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA,

2SK3320-BL(TE85L,F

부품 재고: 9964

FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100nA,

2SK2145-BL(TE85L,F

부품 재고: 177718

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100nA,

2SK208-R(TE85L,F)

부품 재고: 9975

FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 300µA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA,

2N4858A

부품 재고: 18321

FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 0.5nA,

2N5116

부품 재고: 10006

FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA,

2N4393

부품 재고: 3915

FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA,

2N4859A

부품 재고: 79531

FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 15V, 전류 드레인 (Id)-최대: 250pA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 500pA,

2N5433-2

부품 재고: 3445

FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 3nA,

2N5545JTX01

부품 재고: 3487

2N5547JTXV01

부품 재고: 3461

2N5432-2

부품 재고: 3512

FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 3nA,

2N4858JTXL02

부품 재고: 3427

2N4391-E3

부품 재고: 3495

FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA,

2N4858JVP02

부품 재고: 3466

2N6660JAN02

부품 재고: 3444

2N4858JTVP02

부품 재고: 3434

2N5460

부품 재고: 3448

FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 750mV @ 1µA,

2SK932-22-TB-E

부품 재고: 109722

FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7.3mA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100µA,

2SK2394-6-TB-E

부품 재고: 173212

FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 100µA,

2SK3666-3-TB-E

부품 재고: 199601

FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA,

2SK932-23-TB-E

부품 재고: 187928

FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100µA,

2SK2394-7-TB-E

부품 재고: 111814

FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 16mA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 100µA,

2SK545-11D-TB-E

부품 재고: 155340

FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60µA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 1µA,

2SK932-24-TB-E

부품 재고: 189339

FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 14.5mA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100µA,

2SK715V

부품 재고: 3479

FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA,

2N5457_D74Z

부품 재고: 3416

FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA,

2SK2394-7-FRD-TB-E

부품 재고: 3439

2SK3796-3-TL-E

부품 재고: 3463

FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA,

2SK01980RL

부품 재고: 131089

FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500µA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 20mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 10µA,

2N5116UB

부품 재고: 3364

FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA,

2N5114UB

부품 재고: 3411

FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 90mA @ 18V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1nA,

2N3822

부품 재고: 3492

FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 500pA,

2N4093

부품 재고: 3449

FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 20V,