트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 15.2dB, 전압-테스트: 7.5V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 17.2dB, 전압-테스트: 12.5V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.69GHz, 이득: 14.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.88GHz ~ 1.91GHz, 이득: 17.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.5GHz, 이득: 14.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz, 이득: 18.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 14.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.69GHz, 이득: 15.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.88GHz, 이득: 15.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 16.6dB, 전압-테스트: 3V, 현재 등급: 120mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 145mA, 노이즈 피겨: 0.4dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 3V, 현재 등급: 100mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 3V, 현재 등급: 120mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 2GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 4V, 현재 등급: 300mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 80mA, 노이즈 피겨: 0.4dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 4.5V, 현재 등급: 500mA, 노이즈 피겨: 1.5dB,
트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 2GHz, 이득: 14.8dB, 전압-테스트: 4.5V, 현재 등급: 1A, 노이즈 피겨: 1.4dB,
트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 2GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 4.5V, 현재 등급: 500mA, 노이즈 피겨: 1.5dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 4V, 현재 등급: 305mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 2GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 4.5V, 현재 등급: 1A, 노이즈 피겨: 1dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 4V, 현재 등급: 305mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 65MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 25µA,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 81.36MHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 150V, 현재 등급: 9A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 13.56MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 11A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 81MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 125V, 현재 등급: 10A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 40.68MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 150V, 현재 등급: 15A,
