트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 920MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 48V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 19.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.84GHz, 이득: 20.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.81GHz, 이득: 18.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 19.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.81GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 17.2dB, 전압-테스트: 13.6V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 920MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.452GHz ~ 1.511GHz, 이득: 18.8dB, 전압-테스트: 31V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.2GHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.2GHz,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 716MHz ~ 960MHz, 이득: 17.8dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.81GHz, 이득: 17.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz, 이득: 16.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.5GHz, 이득: 14.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.805GHz ~ 1.995GHz, 이득: 18.9dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.84GHz, 이득: 28.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.805GHz ~ 1.995GHz,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.59GHz, 이득: 26.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 19.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.5GHz, 이득: 14.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 16.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 400MHz ~ 2.7GHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.805GHz ~ 1.88GHz, 이득: 16.5dB,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 920MHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.4GHz, 이득: 17.7dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.805GHz ~ 1.88GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 31.5V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.17GHz, 이득: 15.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 20.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 40.68MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 250V, 현재 등급: 6.5A,
