트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.11GHz ~ 2.2GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.805GHz ~ 1.88GHz, 이득: 16.7dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 803MHz, 이득: 21.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 595MHz ~ 851MHz, 이득: 19.9dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 595MHz ~ 851MHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 520MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 12.5V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 720MHz ~ 960MHz, 이득: 19.7dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz, 이득: 16.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 19.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 17.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 920MHz, 이득: 30.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 19.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 400MHz ~ 2.7GHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.3GHz, 이득: 17.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 520MHz, 이득: 17.7dB, 전압-테스트: 13.6V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.7GHz ~ 3.1GHz, 이득: 30dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.805GHz ~ 1.88GHz, 이득: 18.7dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 920MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 48V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.69GHz, 이득: 31.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.81GHz, 이득: 17.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.17GHz, 이득: 18.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.805GHz ~ 1.88GHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 960MHz ~ 1.22GHz, 이득: 19.6dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 920MHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 15.7dB, 전압-테스트: 12.5V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.88GHz ~ 2.025GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.81GHz, 이득: 16.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 19.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz, 이득: 16.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 880MHz, 이득: 18.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 81.36MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 125V, 현재 등급: 9A,
