트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, 회수: 128MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 150V, 현재 등급: 10A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 81.36MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 125V, 현재 등급: 9A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 40.68MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 150V, 현재 등급: 13A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 40.68MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 300V, 현재 등급: 6A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 45MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 150V, 현재 등급: 30A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 65MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 25µA,
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, 회수: 65MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 150V, 현재 등급: 15A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 13.56MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 200V, 현재 등급: 20A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 27.12MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 300V, 현재 등급: 25A,
트랜지스터 유형: 4 N-Channel, 회수: 40.7MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 380V, 현재 등급: 20A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 40.7MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 400V, 현재 등급: 8A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 40.68MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 150V, 현재 등급: 22A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 40.68MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 125V, 현재 등급: 14A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 27.12MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 250V, 현재 등급: 30A,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.03GHz ~ 1.09GHz, 이득: 19.2dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.03GHz ~ 1.09GHz, 이득: 19.2dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.5GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz, 이득: 16.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.7GHz ~ 3.1GHz, 이득: 17.2dB, 전압-테스트: 32V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 720MHz ~ 960MHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.88GHz ~ 1.91GHz, 이득: 17.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.4GHz ~ 3.6GHz, 이득: 15.7dB, 전압-테스트: 48V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 19.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 19.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 520MHz, 이득: 17.7dB, 전압-테스트: 13.6V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 17.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 2GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 4.5V, 현재 등급: 500mA, 노이즈 피겨: 1.5dB,
