트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 2GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 4V, 현재 등급: 300mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 16.6dB, 전압-테스트: 3V, 현재 등급: 120mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 2GHz, 이득: 17.7dB, 전압-테스트: 2.7V, 현재 등급: 100mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 4V, 현재 등급: 145mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 2.7V, 현재 등급: 100mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 145mA, 노이즈 피겨: 0.4dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.3GHz ~ 2.4GHz, 이득: 15.6dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 520MHz, 이득: 18.3dB, 전압-테스트: 7.5V,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 15mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 7mA,
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, 회수: 130MHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 135V, 현재 등급: 10A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.2GHz ~ 1.4GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 1.2GHz ~ 1.4GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.2GHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.03GHz ~ 1.09GHz, 이득: 21.8dB, 전압-테스트: 32V, 현재 등급: 4.2µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.1GHz ~ 3.5GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 3.1GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 900MHz ~ 930MHz, 이득: 18.6dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 2.8µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.3GHz ~ 2.7GHz,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.2GHz, 이득: 18.4dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 2.8µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 2.5GHz ~ 2.7GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.5GHz ~ 2.7GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 28A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.3GHz ~ 2.4GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.805GHz ~ 2GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1.4µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 871.5MHz ~ 891.5MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 65A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.81GHz ~ 1.88GHz, 이득: 19.8dB, 전압-테스트: 28V,
