트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 28A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz ~ 1.22GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 36V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 922.5MHz ~ 957.5MHz, 이득: 22.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 13A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.7GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 20A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 16A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2GHz, 이득: 12.5dB, 전압-테스트: 26V, 현재 등급: 2.2A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 500MHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 1A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 400MHz, 이득: 29dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 200MHz, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 200MHz, 전압-테스트: 8V, 현재 등급: 40mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 200MHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 15V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 200MHz, 전압-테스트: 8V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 800MHz, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1.7dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 800MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 9V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1.5dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 800MHz, 이득: 26dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1.2dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 800MHz, 이득: 35dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1.2dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 800MHz, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 40mA, 노이즈 피겨: 2dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 800MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1.7dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 400MHz, 이득: 30dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1.5dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 400MHz, 이득: 30dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 400MHz, 이득: 32dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 0.9dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 400MHz, 이득: 30dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1.3dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 400MHz, 이득: 32dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1.3dB,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 18mA,
