트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.805GHz ~ 2.17GHz, 이득: 6.5dB, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 390MHz ~ 450MHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18.1dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: Silicon Carbide MESFET, 회수: 1.1GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 9A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 940MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: Silicon Carbide MESFET, 회수: 1.95GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 1.8A, 노이즈 피겨: 3.1dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 940MHz, 이득: 20.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 15.1dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.2GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 2.5GHz ~ 2.7GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 6A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz ~ 1.4GHz, 이득: 15.8dB, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.69GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 15.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 16.2dB, 전압-테스트: 28V,
