FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V (1.7kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 325A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 225A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 15mA (Typ),
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 423A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 300A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 15mA (Typ),
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 87A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 2.5mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29.5A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA (Typ),
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 193A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 120A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 6mA (Typ),
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 444A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 400A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 105mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 168A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 50mA,
