FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 20V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 63A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 35A, 15V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 50A, 20V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tj), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 20V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 28A, 20V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tj), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 10A, 20V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 50A, 20V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 20V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 10A, 20V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 40A, 20V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 196 mOhm @ 10A, 20V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 84.5 mOhm @ 20A, 15V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 370 mOhm @ 6A, 20V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2A, 20V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V,
