트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.2GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.2GHz ~ 1.4GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 4GHz, 이득: 12.5dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 6.3A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 869MHz ~ 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 2.7GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 6.3A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 1.2GHz ~ 1.4GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 42mA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.02GHz, 이득: 17.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz ~ 1.4GHz, 이득: 21.64dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 1GHz, 이득: 24dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 12.1A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18.1dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 6GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 8GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 420MHz ~ 500MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 3GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 8.7A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 15.1dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 390MHz ~ 450MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 768MHz, 이득: 17.25dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 10µA,
회수: 1.88GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.2GHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 920MHz ~ 960MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 10µA,
