다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 6A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 4A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 19A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 5A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 33A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 10A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 19A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 6A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io),
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 8A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 2A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 24A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 6A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 11A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 3A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 5A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 2A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 29A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 10A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 13.5A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 4A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 11A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 3A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 24.5A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 8A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 13.5A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 4A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 54.5A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 20A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1700V, 전류-평균 정류 (Io): 25A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2V @ 25A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 17.5A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 5A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 39A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 15A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1700V, 전류-평균 정류 (Io): 10A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2V @ 10A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 24.5A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 7.5A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 54A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 20A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 31.5A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 10A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1700V, 전류-평균 정류 (Io): 26.3A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.5V @ 25A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 57A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.45V @ 20A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 43.5A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 15A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 11A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 3A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 39A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 16A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 35A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 12A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 19A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 6A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 16.5A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 8A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 24A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 8A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1700V, 전류-평균 정류 (Io): 14.4A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2V @ 10A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 30A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 10A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,