트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 470MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 6GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 3.5A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 6GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 6GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 40V, 현재 등급: 950mA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 746MHz ~ 821MHz, 이득: 20.5dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 869MHz ~ 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 3GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 390MHz ~ 450MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 2.7GHz ~ 3.5GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 746MHz ~ 960MHz, 이득: 23dB, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 4GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 14A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.2GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.69GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.2GHz ~ 1.4GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 7.9GHz ~ 9.6GHz, 이득: 10.2dB, 전압-테스트: 40V, 현재 등급: 12A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 3GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HEMT, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 4GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 6GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 6GHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 3GHz, 이득: 20.1dB, 현재 등급: 18.7A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.02GHz, 이득: 17.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 960MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 859MHz ~ 960MHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 10µA,
