트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.96GHz, 이득: 19.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 860MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.09GHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.4GHz, 이득: 17.7dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 230MHz, 이득: 24dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 960MHz, 이득: 19.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz ~ 2.5GHz, 이득: 18.6dB,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.03GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.9GHz, 이득: 13.3dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 894MHz, 이득: 19.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 6V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 512MHz, 이득: 26dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 220MHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.62GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 512MHz, 이득: 25.4dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.3GHz, 이득: 22.7dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 1.8GHz ~ 2.2GHz,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 748MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 960MHz, 이득: 19.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.98GHz ~ 2.01GHz, 이득: 14.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 220MHz, 이득: 23.9dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.03GHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 230MHz, 이득: 24dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.4GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 700MHz ~ 1.3GHz, 이득: 20.6dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.88GHz ~ 1.91GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.88GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz ~ 1.215GHz, 이득: 19.7dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 200µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.45GHz, 이득: 18.6dB, 전압-테스트: 32V, 현재 등급: 10µA,
