구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: 3-Phase, 드라이버 수: 6, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 17.5V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.7V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: 3-Phase, 드라이버 수: 6, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 13V ~ 17.5V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.7V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 3.3V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: 3-Phase, 드라이버 수: 6, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 5V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: 3-Phase, 드라이버 수: 6, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
구동 구성: High-Side or Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 12V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: 3-Phase, 드라이버 수: 6, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 24V ~ 150V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.7V, 2.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 3V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 5V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.4V ~ 20V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.7V, 2.5V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4V ~ 36V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.9V, 2.5V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 6V ~ 36V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.9V, 2.7V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.8V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: 3-Phase, 드라이버 수: 6, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: 3-Phase, 드라이버 수: 6, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.4V ~ 6.5V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 6V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 6V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, 전압-공급: 14.5V ~ 15.5V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.15V ~ 13.2V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.6V ~ 5.5V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
