구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 9.5V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.15V ~ 13.2V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 6V ~ 36V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.9V, 2.7V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 9V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 12V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 5V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: 3-Phase, 드라이버 수: 3, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 50V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: 3-Phase, 드라이버 수: 3, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 50V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.4V, 0.7V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.6V ~ 13.2V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 25V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 3, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 25V,
구동 구성: Low-Side, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5 ~ 5.5V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 5.5V ~ 35V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 3V,
