구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, 전압-공급: 14.5V ~ 15.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 15V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 0V ~ 18V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 13V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.5V, 3.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, 전압-공급: 13V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.5V, 3.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 3V ~ 3.5V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 14V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
