구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 17.5V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.7V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, 전압-공급: 10V ~ 25V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.7V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.7V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 20V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 1.9V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 25V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.7V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.7V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.7V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: 3-Phase, 드라이버 수: 6, 게이트 유형: IGBT, 전압-공급: 13V ~ 17.5V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.7V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: 3-Phase, 드라이버 수: 6, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 13V ~ 17.5V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.7V,
