구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, 전압-공급: 14.5V ~ 15.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, 전압-공급: 14V ~ 16V,
구동 구성: Half-Bridge, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 15V,
구동 구성: High-Side or Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, 전압-공급: 14.5V ~ 15.5V,
구동 구성: High-Side or Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 14.5V ~ 15.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, 전압-공급: 15V ~ 24V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 15V ~ 24V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
