코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 9.16µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 26.60mm,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 25nH, 공차: -30%, +40%, 갭: K1, 유효 투과성 (µe): 3.35mm, 초기 투자율 (µi): P 3.3 x 2.6,
코어 유형: I, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): I 43 x 4 x 28,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 9.8µH, 공차: ±25%, 갭: T37, 유효 투과성 (µe): 41.80mm,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 2.1µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 14.30mm, 초기 투자율 (µi): P 14 x 8,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±2%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 36.00mm, 초기 투자율 (µi): P 36 x 22,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 15.2µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 36.00mm, 초기 투자율 (µi): P 36 x 22,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 54 x 28 x 19,
코어 유형: ELP, 갭: N95, 초기 투자율 (µi): ELP 43 x 10 x 28,
코어 유형: Toroid,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 12.6µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 18.40mm, 초기 투자율 (µi): P 18 x 11,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.88µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 104.80mm,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 59 x 31 x 22,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 44 x 22 x 15,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: ELP, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ELP 43 x 10 x 28,
코어 유형: PS, 갭: N22, 유효 투과성 (µe): 24.80mm, 초기 투자율 (µi): PS 25 x 8.9,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 6.1µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N95, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 30,
코어 유형: I, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ELP 43 x 10 x 28,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 36 x 18 x 11,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 6.93µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 26.60mm,
코어 유형: ER, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ER 42 x 22 x 15,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 22.00mm, 초기 투자율 (µi): P 22 x 13,
코어 유형: EQ, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): EQ 25 x 6,
갭: PC200,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 1.6µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EP 13,
코어 유형: ELP, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): ELP 38 x 8 x 25,
코어 유형: I, 공차: ±25%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): I 43 x 4 x 28,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 49 x 25 x 16,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 40nH, 공차: ±3%, 갭: K1, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 8.3µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 22.00mm, 초기 투자율 (µi): P 22 x 13,
코어 유형: I, 공차: ±25%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): I 102 x 20 x 38,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 65 x 32 x 27,