코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 54 x 28 x 19,
코어 유형: I, 인덕턴스 계수 (Al): 5.9µH, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): I 43 x 4 x 28,
코어 유형: ELP, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): ELP 32 x 6 x 20,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 6.2µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 23.30mm,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 7,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 32 x 16 x 9,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 32 x 16 x 11,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: ER, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): ER 25 x 6 x 15,
코어 유형: I, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): I 38 x 4 x 25,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.9µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 15.10mm,
코어 유형: EC, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): EC 41 x 20 x 12,
코어 유형: I, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): I 93 x 28 x 30,
코어 유형: EFD, 갭: PC200,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 5.4µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 58.30mm, 초기 투자율 (µi): R 58.3 x 40.8 x 17.6,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 1.6µH, 공차: ±10%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: ELP, 공차: ±25%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ELP 102 x 20 x 38,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 5µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 65.30mm,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 30 x 15 x 7,
코어 유형: ELP, 갭: PC200,
코어 유형: EFD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EFD 25 x 13 x 9,
코어 유형: Toroid, 갭: N97,
코어 유형: I, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): I 32 x 3 x 20,
코어 유형: EFD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EFD 20 x 10 x 7,
코어 유형: ER, 공차: -20%, +30%, 갭: PC200, 초기 투자율 (µi): ER 14.5 x 6,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 2µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): PQ 20 x 20,
코어 유형: ELP, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): ELP 18 x 4 x 10,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 2.7µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 7,
코어 유형: ELP, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): ELP 22 x 6 x 16,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: ER, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): ER 23 x 5 x 13,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 315nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: RM, 공차: -20%, +30%, 갭: PC200, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 6,
