코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 1µH, 공차: ±5%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 7,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 65 x 32 x 27,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 34 x 17 x 11,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 4.3µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 950nH, 공차: -20%, +30%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): RM 4 LP,
코어 유형: E, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 15,
코어 유형: I, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): I 32 x 3 x 20,
코어 유형: ELP, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ELP 22 x 6 x 16,
코어 유형: EFD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EFD 25 x 13 x 9,
코어 유형: EFD, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): EFD 30 x 15 x 9,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 36 x 18 x 11,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 5.7µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N95, 초기 투자율 (µi): PQ 26 x 25,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 14.30mm, 초기 투자율 (µi): P 14 x 8,
코어 유형: I, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): I 22 x 2.5 x 16,
코어 유형: ELP, 갭: N95, 초기 투자율 (µi): ELP 32 x 6 x 20,
코어 유형: EQ, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): EQ 30 x 8,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
코어 유형: EQ, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): EQ 25 x 6,
코어 유형: I, 갭: N95, 초기 투자율 (µi): I 32 x 3 x 20,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 29 x 16 x 10,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 5µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): PQ 26 x 20,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 4.2µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.29µH, 공차: ±25%, 갭: N27, 유효 투과성 (µe): 17.20mm,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 1.9µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): PQ 16 x 11.6,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 1.7µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 3.42µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 23.80mm,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 11.30mm, 초기 투자율 (µi): P 11 x 7,
갭: PC200,
코어 유형: ELP, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ELP 22 x 6 x 16,
코어 유형: I, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): I 38 x 4 x 25,
코어 유형: ELP, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ELP 43 x 10 x 28,
코어 유형: E, 갭: N72, 초기 투자율 (µi): E 40 x 16 x 12,
코어 유형: I, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): I 25 x 3 x 15,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 4.62µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 25.30mm, 초기 투자율 (µi): R 25.3 x 14.8 x 10,
