코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 6.3µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 12 LP,
코어 유형: Multi-Hole (2), 인덕턴스 계수 (Al): 2.4µH, 공차: ±30%, 갭: N30,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: M33, 유효 투과성 (µe): 14.30mm, 초기 투자율 (µi): P 14 x 8,
코어 유형: EC, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EC 70 x 35 x 16,
코어 유형: EC, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): EC 70 x 35 x 16,
갭: N87, 유효 투과성 (µe): 22.00mm, 초기 투자율 (µi): P 22 x 13,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 13 x 7 x 4,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 6.3µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N95, 초기 투자율 (µi): PQ 26 x 20,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 22.00mm, 초기 투자율 (µi): P 22 x 13,
갭: N87,
코어 유형: EC, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): EC 35 x 17 x 10,
갭: N87, 유효 투과성 (µe): 18.40mm, 초기 투자율 (µi): P 18 x 11,
코어 유형: EFD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EFD 25 x 13 x 9,
갭: N41, 유효 투과성 (µe): 22.00mm, 초기 투자율 (µi): P 22 x 13,
갭: M33, 유효 투과성 (µe): 18.40mm, 초기 투자율 (µi): P 18 x 11,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 6.4µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 30.50mm, 초기 투자율 (µi): P 30 x 19,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 9.8µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 14.30mm, 초기 투자율 (µi): P 14 x 8,
코어 유형: I, 인덕턴스 계수 (Al): 5.25µH, 공차: ±25%, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): I 22 x 2.5 x 16,
갭: N45,
코어 유형: ELP, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): ELP 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: EP, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EP 20,
코어 유형: E, 인덕턴스 계수 (Al): 64nH, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 13 x 7 x 4,
코어 유형: EV, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): EV 25 x 13 x 13,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 29 x 16 x 10,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 18.40mm, 초기 투자율 (µi): P 18 x 11,
코어 유형: EC, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EC 35 x 17 x 10,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 44 x 22 x 15,
코어 유형: E, 공차: -20%, +30%, 갭: N95, 초기 투자율 (µi): E 100/60/28,
코어 유형: EV, 공차: -20%, +30%, 갭: N95, 초기 투자율 (µi): EV 30/16/13,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 21,
코어 유형: Multi-Hole (2), 인덕턴스 계수 (Al): 1.1µH, 공차: ±30%, 갭: M13,
