코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 11.5µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 30.50mm, 초기 투자율 (µi): P 30 x 19,
코어 유형: ELP, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): ELP 43 x 10 x 28,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 2.65µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): PQ 20 x 20,
코어 유형: I, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): I 38 x 4 x 25,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 2.8µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 18.40mm, 초기 투자율 (µi): P 18 x 11,
코어 유형: I, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): I 25 x 3 x 15,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 44 x 22 x 15,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 3.1µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±5%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 5.15µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): PQ 26 x 20,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±4%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EP 13,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 32 x 16 x 9,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 1.1µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): ER 14.5 x 6,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 12µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 23.30mm,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 34 x 17 x 11,
코어 유형: P (Pot Core), 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 18.40mm, 초기 투자율 (µi): P 18 x 11,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 6.4µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 35.50mm,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 9.7µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 26.00mm, 초기 투자율 (µi): P 26 x 16,
코어 유형: ELP, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ELP 38 x 8 x 25,
코어 유형: E, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): E 6 x 3,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 2.6µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 4.7µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): PQ 35 x 35,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 5.5µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 26.00mm, 초기 투자율 (µi): P 26 x 16,
코어 유형: ER, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ER 42 x 22 x 15,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 7.16µH, 공차: ±25%, 갭: T37, 유효 투과성 (µe): 60.10mm,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 4.5µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): PQ 26 x 25,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 9.30mm, 초기 투자율 (µi): P 9 x 5,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 26.00mm, 초기 투자율 (µi): P 26 x 16,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 5µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 30,
코어 유형: ELP, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ELP 32 x 6 x 20,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 5.5µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 8,
