코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±5%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 6.5µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): PQ 50 x 50,
코어 유형: ETD, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ETD 49 x 25 x 16,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 7µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 41.80mm,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: P (Pot Core), 갭: N22, 유효 투과성 (µe): 70.00mm, 초기 투자율 (µi): P Core Half 70 x 14.5,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 25,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.15µH, 공차: ±25%, 갭: N27, 유효 투과성 (µe): 26.60mm,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±3%, 갭: M33, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 5.8µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 43.60mm,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 1.6µH, 공차: ±10%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: E, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 8.4µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 41.00mm, 초기 투자율 (µi): P 41 x 25,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 10µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 51.80mm,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 21,
코어 유형: Toroid,
코어 유형: RM, 공차: -20%, +30%, 갭: PC200, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 65 x 32 x 27,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 5.5µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 102.00mm, 초기 투자율 (µi): R 102 x 65.8 x 15,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 1µH, 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 30.50mm, 초기 투자율 (µi): P 30 x 19,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 8.5µH, 공차: ±25%, 갭: T37, 유효 투과성 (µe): 31.00mm,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 5.75µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 37.50mm,
코어 유형: I, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): I 93 x 28 x 16,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 1µH, 공차: ±5%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: PS, 갭: N22, 유효 투과성 (µe): 47.00mm, 초기 투자율 (µi): PS 47 x 14.9,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 6.8µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 59 x 31 x 22,
코어 유형: ELP, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ELP 64 x 10 x50,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 3.3µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): PQ 35 x 35,
코어 유형: ELP, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ELP 58 x 11 x 38,
