트랜지스터 유형: N-Channel, 현재 등급: 50mA,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 400MHz, 이득: 30.5dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 0.9dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 800MHz, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 40mA, 노이즈 피겨: 2dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 800MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1.7dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 400MHz, 이득: 30dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 0.9dB,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 6.5mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 13mA,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 200MHz, 전압-테스트: 8V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.4GHz ~ 3.6GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 16.5A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 108MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 16A,
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, 회수: 175MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 4.5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 26V, 현재 등급: 4.5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 26V, 현재 등급: 4.5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 26V, 현재 등급: 2.3A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 18A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 6A, 노이즈 피겨: 2dB,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 1.81GHz ~ 1.88GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 917.5MHz ~ 962.5MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 64A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 922.5MHz ~ 957.5MHz, 이득: 22.5dB, 전압-테스트: 32V, 현재 등급: 39A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 500MHz, 이득: 11.5dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 1.5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.4GHz ~ 3.6GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 34A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 36A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 871.5MHz ~ 891.5MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 32A,
