트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 922.5MHz ~ 957.5MHz, 이득: 22.5dB, 전압-테스트: 32V, 현재 등급: 39A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 49A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 18A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.5GHz ~ 2.7GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 32V, 현재 등급: 34A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.8GHz ~ 1.88GHz, 이득: 19.2dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 13A,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 1.8GHz ~ 1.88GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 871.5MHz ~ 891.5MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 49A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 871.5MHz ~ 891.5MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 32A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 18.7dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 18A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 29A,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 49A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual), 회수: 800MHz, 이득: 23dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 20mA, 노이즈 피겨: 1.1dB,
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual), 회수: 800MHz, 이득: 24dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 25mA, 노이즈 피겨: 1.1dB,
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual), 회수: 800MHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 25mA, 노이즈 피겨: 1.3dB,
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual), 회수: 800MHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 25mA, 20mA, 노이즈 피겨: 1.8dB,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 800MHz, 이득: 26dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 25mA, 노이즈 피겨: 1.2dB,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 18mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 13mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 25mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 6.5mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 15mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 100MHz, 전압-테스트: 15V, 현재 등급: 50mA, 노이즈 피겨: 1.5dB,
