트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 860MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.03GHz ~ 1.09GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 36V,
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, 회수: 225MHz, 이득: 11.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 25A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.2GHz ~ 1.4GHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 36V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 28MHz, 이득: 27dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 6A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.2GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 26V, 현재 등급: 2.2A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 960MHz, 이득: 7dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 3.5A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 108MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 4A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 전압-테스트: 32V, 현재 등급: 34A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 26V, 현재 등급: 4.5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.4GHz ~ 3.6GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 3.1A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 500MHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1.5A,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 400MHz, 이득: 30.5dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 0.9dB,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 25mA,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 800MHz, 전압-테스트: 9V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 2dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 100MHz, 이득: 29dB, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 20mA, 노이즈 피겨: 0.7dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 200MHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 15V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 200MHz, 전압-테스트: 8V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 400MHz, 이득: 32dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 0.9dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 400MHz, 이득: 29dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 0.9dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 400MHz, 이득: 30dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 0.9dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 800MHz, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 40mA, 노이즈 피겨: 2dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 400MHz, 이득: 30dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1.3dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 400MHz, 이득: 31dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 0.9dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 200MHz, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1dB,
트랜지스터 유형: N-Channel, 현재 등급: 50mA,
