트랜지스터 유형: N-Channel, 현재 등급: 10mA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 2.5GHz ~ 2.69GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.3GHz ~ 2.4GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.81GHz ~ 1.88GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 952.5MHz ~ 957.5MHz, 이득: 20.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 700MHz ~ 1GHz, 이득: 21dB,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 700MHz ~ 1GHz, 이득: 20.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 700MHz ~ 2.2GHz, 이득: 27dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.5GHz ~ 2.7GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 12A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 18A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.5GHz ~ 2.7GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 29A,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 800MHz, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 40mA, 노이즈 피겨: 2dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 200MHz, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 200MHz, 전압-테스트: 8V, 현재 등급: 40mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 100MHz, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1.5dB,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 100MHz, 전압-테스트: 15V, 현재 등급: 6.5mA, 노이즈 피겨: 1.5dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 800MHz, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1.7dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.8GHz ~ 1.88GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2GHz ~ 2.2GHz, 이득: 17.5dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.8GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 5µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 871.5MHz, 이득: 20.2dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 49A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 894MHz, 이득: 19.7dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 15A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 26V, 현재 등급: 12A,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 100MHz, 전압-테스트: 15V, 현재 등급: 25mA, 노이즈 피겨: 1.5dB,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 100MHz, 전압-테스트: 15V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 1.5dB,
