메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 32Mb (2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FRAM, 과학 기술: FRAM (Ferroelectric RAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 250MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II, 메모리 크기: 18Mb (1M x 18), 클록 주파수: 300MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (2M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 32Mb (2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 1Mb (64K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 400MHz,
