기억

S29WS128N0SBAW012

부품 재고: 159

CY7C0251AV-25AC

부품 재고: 2890

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous, 메모리 크기: 144Kb (8K x 18), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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부품 재고: 6467

CY14B101KA-ZS25XI

부품 재고: 2850

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

S34ML01G200TFI003

부품 재고: 7917

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

CY7C1318KV18-250BZC

부품 재고: 2718

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, DDR II, 메모리 크기: 18Mb (1M x 18), 클록 주파수: 250MHz,

CYD09S36V18-WW14

부품 재고: 4540

FM28V102A-TG

부품 재고: 3269

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FRAM, 과학 기술: FRAM (Ferroelectric RAM), 메모리 크기: 1Mb (64K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns,

FM28V202A-TGTR

부품 재고: 3307

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FRAM, 과학 기술: FRAM (Ferroelectric RAM), 메모리 크기: 2Mb (128K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns,

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

CY7C024AV-20AXCT

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메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous, 메모리 크기: 64Kb (4K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

S70GL02GT12FHAV10

부품 재고: 156

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CG7811AAT

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CY14V104NA-BA45XI

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

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메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II, 메모리 크기: 18Mb (1M x 18), 클록 주파수: 250MHz,

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부품 재고: 3144

CY7C1312KV18-250BZCT

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메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II, 메모리 크기: 18Mb (1M x 18), 클록 주파수: 250MHz,

CY7C1315KV18-250BZCT

부품 재고: 2983

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 250MHz,

CY14B101LA-ZS45XI

부품 재고: 3535

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,

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메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 133MHz,

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,

CY14B104NA-ZS45XIT

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,

CY14V101NA-BA25XI

부품 재고: 3169

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 1Mb (64K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

CG7905AAT

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부품 재고: 3246

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

S70GL02GS12FHBV23

부품 재고: 7360

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 2Gb (128M x 16),

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부품 재고: 3330

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

CY14B104K-ZS25XIT

부품 재고: 3356

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

CY14B104NA-BA25XIT

부품 재고: 3051

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

CY14B104M-ZSP25XIT

부품 재고: 3341

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,