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메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 64M (4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 1Mb (64K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,
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메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 6Mb (256K x 24), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 16Gb (4G x 4), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II, 메모리 크기: 18Mb (2M x 9), 클록 주파수: 333MHz,
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