프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 32,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 12.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 32,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 2.5V, 3.3V, 매크로 셀 수: 512, 게이트 수: 48000,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 2.5V, 3.3V, 매크로 셀 수: 1536, 게이트 수: 144000,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, 지연 시간 tpd (1) 최대: 12.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 64,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 4.5V ~ 5.5V, 매크로 셀 수: 64,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 6.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 64,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 2.5V, 3.3V, 매크로 셀 수: 512, 게이트 수: 48000,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 2.5V, 3.3V, 매크로 셀 수: 1536, 게이트 수: 144000,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 64,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 20.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 512,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 128,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 20.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 256,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 2.5V, 3.3V, 매크로 셀 수: 3072, 게이트 수: 288000,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 512,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 2.5V, 3.3V, 매크로 셀 수: 3072, 게이트 수: 288000,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 12.0ns, 전압 공급-내부: 4.5V ~ 5.5V, 매크로 셀 수: 512,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 12.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 256,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 12.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 64,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 512,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 192,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 8.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 32,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.5V ~ 5.5V, 매크로 셀 수: 128,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.5V ~ 5.5V, 매크로 셀 수: 192,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 2.5V, 3.3V, 매크로 셀 수: 768, 게이트 수: 72000,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 4.5V ~ 5.5V, 매크로 셀 수: 32,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 128,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 2.5V, 3.3V, 매크로 셀 수: 1536, 게이트 수: 144000,
프로그래밍 가능 유형: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 4.5V ~ 5.5V, 매크로 셀 수: 192,
