기억

CY14B104LA-ZS20XIT

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부품 재고: 2893

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

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S29PL127J60TAI130

S29PL127J60TAI130

부품 재고: 5771

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 128M (8M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns,

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S29WS256N0SBFW012
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S99-50031
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CY7C1061GE-10BV1XI

CY7C1061GE-10BV1XI

부품 재고: 2768

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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S70PL254J00BAWA30
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S29WS128N0PBAW013
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CY7C1061G30-10BVXIT

CY7C1061G30-10BVXIT

부품 재고: 2937

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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CY7C1361C-100AXE
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CY14B104NA-BA25I

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부품 재고: 122

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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S99FL032A0LMFI001
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S71PL032J08BAW0B0C
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S99PL127J0160
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CY7C1314KV18-300BZXC

CY7C1314KV18-300BZXC

부품 재고: 2771

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 300MHz,

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CY14B104LA-ZS20XI

CY14B104LA-ZS20XI

부품 재고: 2728

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

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S99AL032DU
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CY7C1370SV25-200AXC

CY7C1370SV25-200AXC

부품 재고: 2434

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 167MHz,

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CY7C1069G-10ZSXI

CY7C1069G-10ZSXI

부품 재고: 2733

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (2M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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CY7C1061G-10ZSXIT

CY7C1061G-10ZSXIT

부품 재고: 2969

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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CY7C1061G-10BVXI

CY7C1061G-10BVXI

부품 재고: 2749

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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CY7C1061GE18-15BVJXIT

CY7C1061GE18-15BVJXIT

부품 재고: 2970

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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CY7C1069G30-10BVXIT

CY7C1069G30-10BVXIT

부품 재고: 2915

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (2M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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S4012001270B0C010
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VS2FL008A0LMAI001
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CY14B104NA-ZSP45XI
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S29WS128N0PBFW012
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S29PL032J60BFI120A

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부품 재고: 6094

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 32Mb (2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns,

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CY7C1061GE-10BVXIT

CY7C1061GE-10BVXIT

부품 재고: 2929

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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SX-3130-1658
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CY7C1061GE18-15BV1XI

CY7C1061GE18-15BV1XI

부품 재고: 2809

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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CY7C1061GE-10ZXIT

CY7C1061GE-10ZXIT

부품 재고: 2944

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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