기억

CY7C1313KV18-250BZXI

부품 재고: 2629

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II, 메모리 크기: 18Mb (1M x 18), 클록 주파수: 250MHz,

CY7C1382KV33-200AXC

부품 재고: 2860

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (1M x 18), 클록 주파수: 200MHz,

S29PL127J70TFI130H

부품 재고: 4670

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 128M (8M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

CY14B101KA-SP25XI

부품 재고: 2870

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

CY7C1370KV25-200AXC

부품 재고: 2834

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 200MHz,

V29F400BT-150SC

부품 재고: 935

S99F032B

부품 재고: 672

CY7C1312KV18-300BZXCT

부품 재고: 2996

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II, 메모리 크기: 18Mb (1M x 18), 클록 주파수: 300MHz,

CY7C1061G18-15BV1XIT

부품 재고: 2359

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

CY7C1314KV18-250BZI

부품 재고: 2628

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 250MHz,

CY7C1061GE-10ZSXI

부품 재고: 2756

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

CY7C1370KV33-200AXC

부품 재고: 2797

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 200MHz,

S29PL032J70BAW120A

부품 재고: 6051

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 32Mb (2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

S99DL324D

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FM28V100-TG

부품 재고: 2870

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FRAM, 과학 기술: FRAM (Ferroelectric RAM), 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns,

S70GL02GT11FHB010

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CY7C1061G-10ZXI

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메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

CY7C1145LV18-400BZXC

부품 재고: 167

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 400MHz,

CY7C1061GE30-10BVJXIT

부품 재고: 2987

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

S99GL016A

부품 재고: 680

S98WS512N0GFW0090F

부품 재고: 397

CY7C1370D-167AXC

부품 재고: 2439

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 167MHz,

CY7C1163KV18-400BZI

부품 재고: 2336

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+, 메모리 크기: 18Mb (1M x 18), 클록 주파수: 400MHz,

CY14B101KA-ZS45XI

부품 재고: 2937

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,

CY7C1381KV33-133AXI

부품 재고: 2505

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 133MHz,

CY14B101LA-SP45XI

부품 재고: 2774

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,

CY7C1061G-10BVJXI

부품 재고: 2791

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

S29PL064J70BAW120A

부품 재고: 6165

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 64M (4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

S29PL032J55BFI120L

부품 재고: 6062

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 32Mb (2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,

S4013001270B0C020

부품 재고: 299

CY7C1386KV33-200AXC

부품 재고: 2906

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 200MHz,

CY7C1314KV18-250BZXI

부품 재고: 2718

S70GL02GS12FHBV20

부품 재고: 158

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 2Gb (128M x 16),

CY7C1051H30-10ZSXIT

부품 재고: 2979

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

S99GL032AU

부품 재고: 5162

CY7C024E-25AXC

부품 재고: 3493

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous, 메모리 크기: 64Kb (4K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,