기억

CY7C1069G-10BVXIT

CY7C1069G-10BVXIT

부품 재고: 2986

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (2M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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S39MS01GR25WPW009
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S29PL064J60BFI120L

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부품 재고: 6189

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 64M (4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns,

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CY7C1012AV33-8BGCT

CY7C1012AV33-8BGCT

부품 재고: 2580

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 12Mb (512K x 24), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ns,

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CY7C1393KV18-333BZI

CY7C1393KV18-333BZI

부품 재고: 2542

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, DDR II, 메모리 크기: 18Mb (1M x 18), 클록 주파수: 333MHz,

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CY7C1061GE30-10BV1XI

CY7C1061GE30-10BV1XI

부품 재고: 2828

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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V29F010B-120PC
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CY7C1061GE-10ZXI

CY7C1061GE-10ZXI

부품 재고: 2436

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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S29PL127J60TDI130H

S29PL127J60TDI130H

부품 재고: 6233

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 128M (8M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns,

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S99PL127J0030A
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QMP29GL064A90TFIR20
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S99PL064J0010
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S29PL064J60BAI120A

S29PL064J60BAI120A

부품 재고: 5720

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 64M (4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns,

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S99LV065D
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CY62177EV30LL-55BAXIT

CY62177EV30LL-55BAXIT

부품 재고: 2519

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,

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CY7C1373KV33-100AXC

CY7C1373KV33-100AXC

부품 재고: 2723

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (1M x 18), 클록 주파수: 100MHz,

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CY14B104NA-BA25IT

CY14B104NA-BA25IT

부품 재고: 127

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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CY7C1069G-10ZSXIT

CY7C1069G-10ZSXIT

부품 재고: 2994

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (2M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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CY7C1061G-10BV1XIT

CY7C1061G-10BV1XIT

부품 재고: 2927

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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V25FL032A0LMFI001
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CY7C1370SV25-167AXC

CY7C1370SV25-167AXC

부품 재고: 2450

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 167MHz,

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CY14B104NA-BA45XE

CY14B104NA-BA45XE

부품 재고: 2631

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,

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S29PL127J60BAI000A

S29PL127J60BAI000A

부품 재고: 6258

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 128M (8M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns,

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CY7C1061GE18-15BVJXI

CY7C1061GE18-15BVJXI

부품 재고: 2838

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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CY7C1145KV18-400BZXCT

CY7C1145KV18-400BZXCT

부품 재고: 2492

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 400MHz,

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CY7C1318KV18-250BZI
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CY7C1372DV25-167AXC

CY7C1372DV25-167AXC

부품 재고: 2556

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (1M x 18), 클록 주파수: 167MHz,

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CY7C1380KV33-167AXC

CY7C1380KV33-167AXC

부품 재고: 2540

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 167MHz,

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CY7C1061GE18-15BVXIT

CY7C1061GE18-15BVXIT

부품 재고: 2966

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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S29PL032J60BFI123A

S29PL032J60BFI123A

부품 재고: 6081

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 32Mb (2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns,

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CY7C1061G-10BV1XI

CY7C1061G-10BV1XI

부품 재고: 2778

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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CY7C1911KV18-250BZC

CY7C1911KV18-250BZC

부품 재고: 2705

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II, 메모리 크기: 18Mb (2M x 9), 클록 주파수: 250MHz,

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CY7C1061GE30-10ZSXIT

CY7C1061GE30-10ZSXIT

부품 재고: 2920

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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