코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 42 x 33 x 20,
코어 유형: ETD, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 7,
코어 유형: ETD, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ETD 54 x 28 x 19,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 64 x 10 x 50,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 18 x 4 x 10,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 65 x 32 x 27,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 19 x 8 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 34 x 14 x 9,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±4%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ER 14.5 x 3 x 7,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±3%, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): RM 10 x 1,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 71 x 33 x 32,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 21,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 38 x 8 x 25,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 260nH, 공차: ±3%, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 20 x 10 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 21,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 56 x 24 x 19,
코어 유형: PLT, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): PLT 20 x 14 x 2,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 13 x 6 x 6,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 20 x 10 x 5,
코어 유형: RM, 공차: ±3%, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): RM 10 x 1,
코어 유형: U, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): U 25 x 16 x 6,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±3%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): RM 4,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±3%, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): RM 10 x 1,
코어 유형: E, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 65 x 32 x 27,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 30,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 47 x 20 x 16,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): PQ 20 x 16,
