코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 58 x 11 x 38,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 32 x 16 x 9,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 58 x 11 x 38,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): PLT 32 x 20 x 3.2,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 38 x 8 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: ER, 공차: ±25%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): ER 14.5 x 3 x 7,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 35 x 18 x 10,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: ER, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): ER 64 x 13 x 51,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: PLT, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): PLT 18 x 10 x 2,
코어 유형: EP, 공차: ±25%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): EP 20,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 43 x 10 x 28,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 30,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: EP, 공차: ±25%, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 7,
코어 유형: Toroid, 공차: ±30%, 유효 투과성 (µe): 39.80mm, 초기 투자율 (µi): TX 39 x 20 x 13,
코어 유형: ER, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ER 41 x 7.6 x 32,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: ETD, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): ETD 34 x 17 x 11,
코어 유형: EFD, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±8%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): EFD 10 x 5 x 3,
코어 유형: PQ, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 20,
코어 유형: E, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): E 43 x 10 x 28,
코어 유형: E, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): E 38 x 8 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 13 x 7 x 4,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 64 x 10 x 50,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 18 x 4 x 10,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 7,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: P, 인덕턴스 계수 (Al): 2.3µH, 공차: ±25%, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 14.05mm, 초기 투자율 (µi): P 14 x 8,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): PLT 14 x 5 x 1.5,
코어 유형: ER, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): ER 32 x 6 x 25,
