코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: ETD, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): ETD 34 x 17 x 11,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 64 x 10 x 50,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 25 x 10 x 6,
코어 유형: EQ, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): EQ 20,
코어 유형: PLT, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): PLT 25 x 18 x 2,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: UR, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): UR 35 x 27.5 x 13,
코어 유형: Toroid, 공차: ±30%, 유효 투과성 (µe): 25.95mm, 초기 투자율 (µi): TX 25 x 15 x 13,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 58 x 11 x 38,
코어 유형: PLT, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): PLT 18 x 10 x 2,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): PQ 35 x 20,
코어 유형: E, 초기 투자율 (µi): E 18 x 4 x 10,
코어 유형: E, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 25,
코어 유형: ETD, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ETD 59 x 31 x 22,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 38 x 8 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): RM 4,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 16 x 8 x 5,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): RM 4,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 18 x 4 x 10,
코어 유형: Toroid, 갭: 3E27, 유효 투과성 (µe): 57.50mm, 초기 투자율 (µi): TX 55 x 32 x 18,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 19 x 8 x 9,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 100 x 60 x 28,
코어 유형: RM, 공차: ±3%, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: PLT, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): PLT 30 x 20 x 3,
코어 유형: E, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 65 x 32 x 27,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 25,
코어 유형: EFD, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): EFD 20 x 10 x 7,
코어 유형: ER, 공차: ±25%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): ER 9.5 x 2.5 x 5,
코어 유형: ER, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ER 54 x 18 x 18,
