코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 35 x 18 x 10,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 18 x 4 x 10,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 71 x 33 x 32,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 38 x 8 x 25,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 900nH, 공차: ±4%, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): RM 10 x 1,
코어 유형: ETD, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ETD 54 x 28 x 19,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: ROD, 유효 투과성 (µe): 8.00mm, 초기 투자율 (µi): ROD 8 x 150,
코어 유형: EFD, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±5%, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): EFD 12 x 6 x 3.5,
코어 유형: EC, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): EC 35 x 17 x 10,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 58 x 11 x 38,
코어 유형: PLT, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): PLT 22 x 16 x 2.5,
코어 유형: RM, 공차: ±3%, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: ER, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ER 40 x 22 x 13,
코어 유형: ETD, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: EFD, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): EFD 30 x 15 x 9,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: EFD, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±4%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): EFD 15 x 8 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 38 x 8 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: EC, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): EC 70 x 34 x 17,
코어 유형: PLT, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): PLT 32 x 20 x 3.2,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): RM 4,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: ER, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): ER 32 x 6 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 38 x 8 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 25,
코어 유형: U, 초기 투자율 (µi): U 93 x 76 x 30,
코어 유형: EQ, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): EQ 30,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: EQ, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): EQ 30,
