코어 유형: EFD, 공차: -20%, +30%, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): EFD 10/5/3,
코어 유형: EFD, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): EFD 10 x 5 x 3,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 2.7µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): RM 7,
코어 유형: Toroid, 갭: N27,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 10µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): RM 7,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.4µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 8.02mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 450nH, 공차: ±25%, 갭: K10, 유효 투과성 (µe): 10.00mm, 초기 투자율 (µi): R 10 x 6 x 7,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±5%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 7,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 7 LP,
인덕턴스 계수 (Al): 8µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 36.00mm, 초기 투자율 (µi): P 36 x 22,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 17.6µH, 공차: ±25%, 갭: T38,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 7,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.55µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 8.00mm, 초기 투자율 (µi): R 8 x 4 x 4,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 5µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): RM 7,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 5µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 63.00mm, 초기 투자율 (µi): R 63 x 38 x 25,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±5%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 7,
코어 유형: RM, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 7,
코어 유형: Toroid, 갭: N87,
코어 유형: Toroid, 갭: T38,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 1.9µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): RM 7,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 4.6µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 8.02mm,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 4.2µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 30 x 15 x 7,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 30 x 15 x 7,
코어 유형: RM, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: Toroid,
코어 유형: Toroid, 갭: T46,
