코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 44 x 22 x 15,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.02µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 2.52mm,
코어 유형: Toroid,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 16 x 8 x 5,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 16 x 8 x 5,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 25.4 x 10 x 7,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 8.2µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 41.80mm,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 70 x 33 x 32,
코어 유형: E, 갭: N27,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 6.44µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 16.00mm, 초기 투자율 (µi): R 16 x 9.6 x 6.3,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: Toroid, 갭: M33, 유효 투과성 (µe): 6.30mm, 초기 투자율 (µi): R 6.3 x 3.8 x 2.5,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 4.16µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 20.00mm, 초기 투자율 (µi): R 20 x 10 x 7,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 29 x 16 x 10,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 34 x 17 x 11,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 30 x 15 x 7,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 49 x 25 x 16,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.1µH, 공차: ±25%, 갭: K10, 유효 투과성 (µe): 140.00mm, 초기 투자율 (µi): R 140 x 103 x 25,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 15,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 13µH, 공차: ±25%, 갭: T37, 유효 투과성 (µe): 58.30mm, 초기 투자율 (µi): R 58.3 x 32 x 18,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±3%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 7.2µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 60.10mm,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 32 x 16 x 9,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.88µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 102.00mm, 초기 투자율 (µi): R 102 x 65.8 x 15,
코어 유형: RM,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±3%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EP 7,
