코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 30 x 15 x 7,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 21,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 54 x 28 x 19,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.65µH, 공차: ±25%, 갭: T35, 유효 투과성 (µe): 15.10mm,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 30 x 15 x 7,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 54 x 28 x 19,
코어 유형: EP, 공차: ±3%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EP 13,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 34 x 17 x 11,
코어 유형: Toroid,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 93nH, 공차: ±25%, 갭: K10, 유효 투과성 (µe): 2.50mm, 초기 투자율 (µi): R 2.5 x 1.5 x 1.3,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 200nH, 공차: ±6%, 갭: T57, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.02µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 2.50mm, 초기 투자율 (µi): R 2.5 x 1.5 x 1,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 16 x 8 x 5,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 15,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 44 x 22 x 15,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 32 x 16 x 11,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 20nH, 공차: ±25%, 갭: K1, 유효 투과성 (µe): 6.30mm, 초기 투자율 (µi): R 6.3 x 3.8 x 2.5,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 49 x 25 x 16,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 44 x 22 x 15,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 4.7µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 14.40mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.83µH, 공차: ±25%, 갭: T35, 유효 투과성 (µe): 14.40mm,
코어 유형: PM, 인덕턴스 계수 (Al): 12µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 87.00mm, 초기 투자율 (µi): PM 87 x 70,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1µH, 공차: ±25%, 갭: K10, 유효 투과성 (µe): 58.30mm, 초기 투자율 (µi): R 58.3 x 40.8 x 20.2,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 3.89µH, 공차: ±30%, 갭: T46, 유효 투과성 (µe): 3.96mm,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 32 x 16 x 9,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 15,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 29 x 16 x 10,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 500nH, 공차: -30%, +40%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 3.35mm, 초기 투자율 (µi): P 3.3 x 2.6,
