코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 80 x 38 x 20,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 70 x 33 x 32,
코어 유형: Toroid, 갭: T65,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 65 x 32 x 27,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.39µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 18.20mm,
코어 유형: EPX, 인덕턴스 계수 (Al): 1.9µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N45, 초기 투자율 (µi): EPX 10,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 4.08µH, 공차: ±25%, 갭: T37, 유효 투과성 (µe): 18.20mm,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EP 10,
코어 유형: RM, 갭: M33, 초기 투자율 (µi): RM 7,
코어 유형: RM, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 7,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 1.6µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N45, 초기 투자율 (µi): EP 10,
코어 유형: EPX, 인덕턴스 계수 (Al): 2µH, 공차: -20%, +30%, 갭: T57, 초기 투자율 (µi): EPX 10,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 80 x 38 x 20,
코어 유형: P (Pot Core), 유효 투과성 (µe): 5.80mm, 초기 투자율 (µi): P 5.8 x 3.3,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 4,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±3%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EP 10,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 6.28µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 18.20mm,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 65 x 32 x 27,
코어 유형: EPX, 인덕턴스 계수 (Al): 6.1µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EPX 10,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 350nH, 공차: -20%, +30%, 갭: M33, 유효 투과성 (µe): 5.80mm, 초기 투자율 (µi): P 5.8 x 3.3,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 2.9µH, 공차: -20%, +30%, 갭: T65, 초기 투자율 (µi): EP 10,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±7%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EP 10,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 800nH, 공차: -30%, +40%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 5.80mm, 초기 투자율 (µi): P 5.8 x 3.3,
