코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 34 x 17 x 11,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 44 x 22 x 15,
코어 유형: EFD, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): EFD 15 x 8 x 5,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 32 x 16 x 9,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
코어 유형: EFD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EFD 15 x 8 x 5,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 29 x 16 x 10,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 30 x 15 x 7,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 3.5µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N45, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 49 x 25 x 16,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.3µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 14.40mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 4.41µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 10.50mm,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.2µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 12.50mm, 초기 투자율 (µi): R 12.5 x 7.5 x 5,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: ETD, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ETD 59 x 31 x 22,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 3.06µH, 공차: ±25%, 갭: T35, 유효 투과성 (µe): 13.60mm,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 25.4 x 10 x 7,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 3.07mm,
코어 유형: Toroid, 갭: M33,
코어 유형: EV, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EV 30 x 16 x 13,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 3.6µH, 공차: ±30%, 갭: T46, 유효 투과성 (µe): 6.32mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 750nH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 4.02mm,
코어 유형: Toroid, 갭: N92,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.2µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 3.07mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 20nH, 공차: ±25%, 갭: K1, 유효 투과성 (µe): 6.32mm,
코어 유형: E, 인덕턴스 계수 (Al): 1.05µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N41,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.9µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): R 9.53 × 4.75 × 3.17,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 7.6µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 36.00mm, 초기 투자율 (µi): P 36 x 22,
코어 유형: Toroid, 갭: K1,
