트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

DMN2040LSD-13

부품 재고: 2799

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

ZXMD65N02N8TA

부품 재고: 2663

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

ZDM4206NTA

부품 재고: 2634

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA,

DMN32D2LDF-7

부품 재고: 157687

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 100mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

SI4947ADY-T1-GE3

부품 재고: 2852

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SI1913DH-T1-E3

부품 재고: 2766

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 880mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA,

SI4276DY-T1-GE3

부품 재고: 2851

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI3905DV-T1-GE3

부품 재고: 2849

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

SI4913DY-T1-GE3

부품 재고: 2852

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 500µA,

SI3909DV-T1-GE3

부품 재고: 2826

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 500mV @ 250µA (Min),

SI4944DY-T1-GE3

부품 재고: 2874

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 12.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

SI4933DY-T1-GE3

부품 재고: 2815

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 500µA,

SI7909DN-T1-GE3

부품 재고: 2908

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 700µA,

SI7844DP-T1-E3

부품 재고: 3302

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

SI4567DY-T1-GE3

부품 재고: 2812

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, 4.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

NTTD1P02R2G

부품 재고: 2740

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.45A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

FDW2601NZ

부품 재고: 2725

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6314P

부품 재고: 2687

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V,

FDC6322C

부품 재고: 2713

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, 460mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTLGD3502NT1G

부품 재고: 2831

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, 3.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

NTLJD2105LTBG

부품 재고: 2816

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

NTHD5902T1

부품 재고: 2641

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

FDZ2553NZ

부품 재고: 2698

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

IRF7104PBF

부품 재고: 100274

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

IRF7328TR

부품 재고: 2700

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

IRF7304PBF

부품 재고: 67896

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA,

IRF7530TR

부품 재고: 2684

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7755

부품 재고: 2693

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7350TRPBF

부품 재고: 3331

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A, 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

IRF7306QTRPBF

부품 재고: 2778

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

STS3DPF60L

부품 재고: 2674

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

VMM1000-01P

부품 재고: 2737

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1000A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 800A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA,

FMM300-0055P

부품 재고: 2746

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 150A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2mA,

QJD1210SB1

부품 재고: 2931

SP8M8TB

부품 재고: 3276

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

PHKD13N03LT,518

부품 재고: 123779

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,